氧化物半导体器件与集成

（1）原子层沉积氧化物半导体薄膜与器件

基于原子层沉积（ALD）工艺的氧化物半导体在组分调控、结构调控、均匀性、均一性等方面具有显著优势，研究团队围绕高性能ALD氧化物半导体器件的薄膜生长、器件制备、物理模型等一系列关键科学与技术问题展开研究，推动ALD氧化物半导体技术在CMOS集成电路、存储器等领域的发展。

（2）基于氧化物半导体器件的单片三维集成

三维集成电路的核心难点之一在于半导体材料与器件在前道电路的基础上外延生长与制备。研究团队开展基于氧化物半导体器件的单片三维异质集成工艺的研究，重点关注后道工艺兼容的材料设计、器件制备、三维集成方法等重要问题，为多材料、跨尺度、多功能的三维异质集成建立工艺技术基础。

负责人

司梦维 Mengwei Si

Associate Professor